→ Samsung DDR4 8Gb 3200MHz M471A1K43EB1-CWE OEM PC4-25600 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В original single rank

Samsung DDR4 8Gb 3200MHz M471A1K43EB1-CWE OEM PC4-25600 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В original single rank

ширина(см)	4
GTIN	00000000000000
Частота (MHz)	DDR4 - 3200
Количество модулей в комплекте (шт)	1
Поддержка ECC	Нет
Производитель	Samsung
длина(см)	15
manufacturerCountry	Вьетнам
высота(см)	1
gtdNumber	10005030/280624/3128880

Память M471A1K43EB1-CWE от Samsung

Характеристики

ширина(см)	4
GTIN	00000000000000
Частота (MHz)	DDR4 - 3200
Количество модулей в комплекте (шт)	1
Поддержка ECC	Нет
Производитель	Samsung
длина(см)	15
manufacturerCountry	Вьетнам
высота(см)	1
gtdNumber	10005030/280624/3128880
Поддержка Reg	Нет
масса(кг)	0.06
Общий объем памяти (ГБ)	8
rusName	[Модуль памяти] Samsung DDR4 8Gb 3200MHz M471A1K43EB1-CWE OEM PC4-25600 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В original single rank
сайт производителя	http://www.samsung.com/ru/
Пропускная способность (МБ/с)	25600
гарантия	3 года
Количество контактов	260
Модель	M471A1K43EB1-CWE
название	Samsung DDR4 8Gb 3200MHz M471A1K43EB1-CWE OEM PC4-25600 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В original single rank
CAS Latency (CL)	22
Низкопрофильная	Нет
Подсветка	Нет
Объем одного модуля (ГБ)	8
Напряжение (В)	1.2
Поддержка водяного охлаждения	Нет
Количество чипов на модуле	8
Row Precharge Delay (tRP)	22
RAS to CAS Delay (tRCD)	22
Линейка	-
Компоновка чипов на модуле	Двусторонняя
Чип	1Gb x 8-bit
Радиатор	Нет
Габариты	4 × 15 × 1 см
Бренд	SAMSUNG
Вес	0.06 кг
Тайминги	22-22-22